研究者学術情報データベース

（最終更新日 : 2025-01-20 22:11:54）　

モウリ　シンイチロウ
毛利　真一郎
MOURI SHINICHIRO

所属理工学部電気電子工学科

職名准教授

Scopus 論文情報
論文数: 69 Citation: 4003 h-index: 28

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その他所属
1.	理工学部電気電子工学科
2.	理工学研究科

学歴
1.	2009/03 (学位取得)	京都大学理学博士
2.	～2002/03	京都大学理学部理学科卒業
3.	～2004/03	京都大学理学研究科物理学・宇宙物理学専攻修士課程修了
4.	～2008/03	京都大学理学研究科物理学・宇宙物理学専攻博士課程単位取得満期退学

職歴
1.	2016/04/01 ～ 2021/03/31	立命館大学理工学部助教
2.	2011/04/01 ～ 2016/03/31	京都大学エネルギー理工学研究所研究員
3.	2009/03/01 ～ 2011/03/31	千葉大学先進科学センター特任助教(2009年3月31日までは特任研究員)
4.	2008/04/01 ～ 2009/02/28	京都大学物質細胞統合拠点研究員

委員会・協会等
1.	2019/03 ～ 2021/02	電子材料シンポジウム電子材料シンポジウム実行委員会会場委員
2.	2018/04 ～ 2019/03	日本物理学会領域７運営委員
3.	2017/03/18 ～ 2018/09/18	フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会若手研究会幹事幹事

所属学会
1.		フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会
2.		応用物理学会
3.		日本結晶成長学会
4.		日本物理学会

資格・免許
1.	2013	普通免許
2.	2008	特定化学物質作業主任者

研究テーマ
1.	ファンデルワールスエピタキシーによる新規半導体材料の開拓
2.	ファンデルワールスヘテロ構造の光・電子物性とそのデバイス応用

研究概要
原子層スケールのナノ構造における光・電子物性開拓とそのデバイス応用私は、原子層スケールのナノ構造における光・電子物性を解明し、そのデバイス応用を目指して研究を進めています。様々な物質を原子層スケールの厚みまで薄くすると、バルク材料にはない性質が現れることが知られています。最もよく知られている例がグラフェンです。炭素原子１層で構成されるグラフェンは、ディラク型と呼ばれる特殊なバンド構造を持ち、非常に高い移動度を示します。グラフェン以外にも2硫化モリブデンをはじめとする様々な層状物質を原子（分子）1層まで薄くできることがわかってきており、様々なデバイスへの応用が期待されています。私は、原子層材料同士の積層や、他の材料との融合により新たな機能を創発し、今までにないデバイスの創生を目指しています。現在進めている研究テーマは以下の通りです。テーマ1：ファンデルワールスエピタキシーによる新規半導体構造の創製　窒化ガリウムや窒化インジウムに代表される窒化物半導体は、発光ダイオード材料として既に実用化されているのに加え、パワー半導体やタンデム型太陽電池、高周波デバイスなど、さまざまな次世代デバイスへの応用が検討されているユーティリティーの高い材料です。発光デバイスや受光デバイスの広帯域化・高輝度化に向けて、さまざまな組成の混晶を自在に作る技術の開発も必要ですが、基板の制約があり思うように研究が進んでいない状況です。また、低コスト化も大きな課題となっており、再利用可能な成長基板が求められています。　我々が注目しているファンデルワールスエピタキシーは、グラフェンなどダングリングボンドのない原子層材料をバッファー層とした結晶成長であり、上記課題を克服する有力手法と考えられています。ファンデルワールス力を駆動力とする結晶成長のメカニズムを解明し、その制御へ向けた研究を進めています。また、基板ポテンシャルや原子層材料のモアレポテンシャルを援用した結晶成長が可能かどうかを検証する試みも行っております。テーマ2：原子層ヘテロ構造の光・電子物性とそのデバイス応用　異種の原子層材料を積層したヘテロ構造や原子層材料と化合物半導体の積層ヘテロ構造の光物性や電子物性を調べ、デバイス応用を。原子層間の相互作用メカニズムを解明し、高効率電荷分離を利用したエネルギー変換や、励起子と呼ばれる束縛状態を用いた量子情報デバイスへの応用を目指しています。また、原子層材料と窒化物半導体など他の半導体材料とのヘテロ構造についても研究も進めています。原子層材料の光電変換能や熱電変換能・伝導特性・光学特性を既存の半導体材料の特性と組み合わせることで新しい光電子デバイスの創製を目指します。最近では、原子層材料のドーピング制御へ向けた新しい研究も進めております。

研究概要（関連画像）

現在の専門分野
ナノ構造物理, ナノ材料工学, 薄膜・表面界面物性, 光工学・光量子科学, 物性Ⅰ, 電子・電気材料工学, 結晶工学, ナノ材料科学 (キーワード：原子層材料、光物性、ナノ分光、カーボンナノチューブ、グラフェン、太陽電池、遷移金属ダイカルコゲナイド、光デバイス、光誘起相転移)

著書
1.	2022/02/28	ラマン分光スペクトルデータ解析事例集 7章8節ラマン分光を用いた架橋ツイスト2層グラフェンの熱伝導計測 │ (共著)
2.	2016/07	カルコゲナイド系層状物質の最新研究　第3編第4章光電変換材料としての遷移金属ダイカルコゲナイド │ ,228-236 (共著)

論文
1.	2024/12/01	Design and Analysis of Inorganic Tandem Architecture with Synergistically Optimized BaSnS₃ Top and AgTaS₃ Bottom Perovskite Sub-Cells, │ Solar Energy │ 284,113111 (共著)
2.	2024/03/01	原子層モアレ超格子系におけるフォノン物性制御 │ 応用物理 │ 93 (3),174-177頁 (共著)
3.	2024/01/09	Selective Isolation of Mono- to Quadlayered 2D Materials via Sonication-Assisted Micromechanical Exfoliation │ ACS Nano │ 18 (3),2455-2463頁 (共著)
4.	2024/01/04	Emerging II-VI wide bandgap semiconductor device technologies │ Physica Scripta │ 99 (2),022001 (共著)
5.	2023/10/01	分子線エピタキシ法を用いた窒化物半導体結晶成長の最前線 │ 応用物理 │ 92 (10),622-66頁 (共著)
全件表示（63件）

学会発表
1.	2024/10/04	ファンデルワールスエピタキシーによるグラフェン上InGaN薄膜のインジウム組成制御 (第４３回電子材料シンポジウム)
2.	2024/10/04	LiNbO3基板の分極がMoS2に与える影響 (第４３回電子材料シンポジウム)
3.	2024/10/02	ミストCVD法を用いたα-Ga2O3のリモートヘテロエピタキシー (第４３回電子材料シンポジウム)
4.	2024/09/19	Post-Annealing derived Mist CVD AlOx/AlxM1-xOy (M=Al, Hf) Properties for High-Temperature Sensors Applications (第85回応用物理学会秋季学術講演会)
5.	2024/09/20	強誘電リモートドーピングによる単層MoS2のキャリア変調およびh-BN中間層による遮蔽効果」 (第85回応用物理学会秋季学術講演会)
全件表示（305件）

受賞学術賞
1.	2013/03	京都大学エネルギー理工学研究所平成24年度　京都大学エネルギー理工学研究所研究奨励賞

科学研究費助成事業
1.	2021/07/09 ～ 2024/03/31	モアレ超格子を利用したファンデルワールスエピタキシー技術の開拓 │ 挑戦的研究(萌芽)
2.	2021/04/01 ～ 2024/03/31	原子層モアレ超格子系におけるフォノン物性の解明と制御 │ 基盤研究(B) (キーワード：グラフェン、モアレ超格子)
3.	2021/04/01 ～ 2024/03/31	高圧高温熱処理による高品質インジウム系窒化物半導体の創製と熱電素子応用 │ 基盤研究(B) (キーワード：窒化物半導体, 窒化インジウム, 分子線エピタキシー)
4.	2018/04 ～ 2019/03	分極場による遷移金属ダイカルコゲナイドのバレー・スピン制御 │ 新学術領域研究
5.	2013/04 ～ 2015/03	単原子層物質の励起子光物性の解明とその制御 │ 基盤研究(C)
全件表示（6件）

競争的資金等(科研費を除く)
1.	2022/10/01 ～ 2023/09/30	原子層半導体のデバイス応用へ向けたリモートドーピング技術の開発 │ 競争的資金等の外部資金による研究 │ 官民による若手研究者発掘支援事業（若サポ）
2.	2018/04/01 ～ 2019/03/31	窒化物半導体ナノコラムを用いた無機有機ハイブリッド構造の創製と太陽電池応用 │ 競争的資金等の外部資金による研究
3.	2017/07/01 ～ 2018/06/30	窒化物半導体ナノ構造/単層カーボンナノチューブバルクヘテロ構造太陽電池の創製 │ 競争的資金等の外部資金による研究
4.	2017/04/01 ～ 2018/03/31	原子層ヘテロ構造を用いた高効率熱電変換材料の開発 │ 競争的資金等の外部資金による研究
5.	2016/11/17 ～ 2017/11/17	原子層材料をバッファーにしたInN系窒化物半導体成長法の開発 │ 競争的資金等の外部資金による研究

研究高度化推進制度
1.	2019/04 2020/03	研究支援制度分類：研究推進プログラム種目：科研費獲得推進型２D-３Dハイブリッド量子井戸構造の創製とその熱電物性の解明・制御
2.	2019/04 2020/03	研究支援制度分類：研究推進プログラム種目：科研費獲得推進型半導体のピエゾ分極を利用した原子層ファンデルワールス界面物性制御とデバイス応用
3.	2019/04 2020/03	研究支援制度分類：研究成果国際発信プログラム種目：- 次世代光デバイス応用へ向けた2D-3Dハイブリッド量子井戸構造の創製とその光物性評価
4.	2018/04 2019/03	研究支援制度分類：研究推進プログラム種目：科研費獲得推進型原子層ファンデルワールスヘテロ界面における熱輸送の解明と制御
5.	2018/04 2019/03	研究支援制度分類：研究推進プログラム種目：科研費獲得推進型転写できる窒化物半導体を用いた無機有機ハイブリッド構造の創製と光電変換応用
全件表示（11件）

授業科目
1.	プログラミング演習
2.	教養ゼミナール
3.	数値解析論
4.	卒業研究
5.	卒業研究
全件表示（17件）

研究交流希望テーマ
1.	グラフェングラフェンの応用受託研究共同研究
2.	原子層半導体デバイス原子層半導体のドーピング技術の開拓技術相談受託研究共同研究

研究者からのメッセージ
1.	いつでもくつろげる空間をコロナ禍が続き大変な毎日を送っているかと思いますが、いつでも学生さんがくつろげるような研究室にしたいと思っています。興味のある人はウェストウィング2階の原子層半導体デバイス第1研究室に遊びに来てください。

ホームページ
原子層半導体デバイス研究室HP

外部研究者ID
ORCID ID
0000-0002-8325-8685