研究者学術情報データベース

ナニシ　ヤスシ
名西　やすし
NANISHI Yasushi

所属総合科学技術研究機構

職名上席研究員

科学研究費助成事業
1.	2015/04 ～ 2018/03	非混和性を利用したInN、InGaNの原子レベルの構造制御とデバイス化基盤の構築 │ 基盤研究(B)
2.	2014/04 ～ 2016/03	InGaNの非混和性を積極的に利用したDERI法による転位の不活性化 │ 挑戦的萌芽研究
3.	2009 ～ 2013/03	InNおよび関連混晶によるヘテロ・ナノ構造・物性の制御とバンドエンジニアリング │ 基盤研究(A)
4.	2009 ～ 2012/03	MBE成長した窒化インジウム及び関連混晶の構造及び光学的物性評価に関する研究 │ 特別研究員奨励費
5.	2006 ～ 2010	RF-MBE法によるInNおよび関連混晶の成長と量子ナノ構造の形成 │ 特定領域研究（計画）
6.	2006 ～ 2008	ＩｎＮおよび関連混晶の高度化ＲＦ-ＭＢＥ成長技術の開発と電子・光物性制御の研究 │ 基盤研究(A)
7.	2006 ～ 2010	窒化物光半導体のフロンティア　－材料潜在能力の極限発現－ │ その他
8.	2001 ～ 2004	InN、GaN及びその混晶によるヘテロ接合の作製とHFETへの応用に関する研究 │ 基盤研究(B)
9.	1995 ～ 1997	ECR-MBE法によるGaN系混晶の成長と青色レーザー作成のための基盤的研究 │ 基盤研究(C)