研究者学術情報データベース

ムラカミ　マサノリ
村上　正紀
MURAKAMI Masanori

所属立命館グローバル・イノベーション研究機構

職名特別研究フェロー

共同・受託研究実績
1.	2005 ～ 2006	ＳｉＣ半導体用の電極材料の開発：本田技術総合研究所
2.	2004 ～ 2005	高信頼性銅配線技術の研究：松下電子工業株式会社
3.	2002 ～ 2003	配線材料の開発：東京エレクトロン株式会社
4.	2001 ～ 2004	透明電極膜の開発：財団法人京都高度技術研究所
5.	1999 ～ 2005	GaN系のコンタクト材の基礎研究：日立電線株式会社
6.	1999 ～ 2000	InP半導体デバイス用の配線材料の研究：住友電気工業株式会社
7.	1999 ～ 1999	高信頼性銅配線技術の学術研究助成：松下電子工業株式会社
8.	1999 ～ 1999	次世代半導体Ｃｕ配線の基礎研究：株式会社神戸製鋼所
9.	1998 ～ 1998	InP半導体デバイス用の配線材料の研究：住友電気工業株式会社
10.	1998 ～ 1998	LSI高性能配線の基礎研究　：株式会社日立製作所中央研究所
11.	1998 ～ 1998	配線材料の開発：株式会社ジャパンエナジー
12.	1997 ～ 1998	InP半導体用のオーミック・コンタクト材料の研究：住友電気工業株式会社
13.	1997 ～ 1997	Ｃｕ配線材料開発：シャープ株式会社
14.	1997 ～ 1998	チップセンサーの開発：コフロック株式会社
15.	1997	ディープサブ・ミクロン構造でのＣｕ配線用の新バリア材研究・開発:新日本製鐵株式会社
16.	1997	半導体デバイス用Cu配線材料の研究：株式会社神戸製鋼所(1997/2003/2004)
17.	1996 ～ 2003	GaN化合物半導体のオーミック電極材料に関する研究（電極形成プロセスの開発）：豊田合成株式会社
18.	1996 ～ 1997	TaNバリア材の研究：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
19.	1996 ～ 1998	化合物半導体のオーム性電極に関する研究：シャープ株式会社技術本部
20.	1996 ～ 1996	次世代半導体デバイス用のＣｕ配線材適用バリア材の開発：シャープ株式会社
21.	1996 ～ 1996	次世代半導体デバイス用配線材料の開発：新日本製鐵株式会社
22.	1996	電子デバイス用薄膜配線材料に関する研究：株式会社神戸製鋼所(1996/1998)
23.	1996 ～ 1996	半導体用電極・配線材料：株式会社富士通研究所
24.	1995 ～ 1996	InP半導体用のオーミック・コンタクト材料の特性と機構に関する研究：住友電気工業株式会社
25.	1995 ～ 1995	VLSI配線材料の研究・開発：新日本製鐵株式会社
26.	1995	化合物半導体のオーミック電極材料に関する研究助成：ソニー株式会社(1995/1998)
27.	1994 ～ 1994	p型GaN半導体用のコンタクト材開発：豊田合成株式会社
28.	1993 ～ 1995	Ⅱ−Ⅵ族半導体のオーム性電極材に関する研究：シャープ株式会社技術本部
29.	1993 ～ 1995	化合物半導体用コンタクト材料の研究：株式会社富士通研究所
30.	1993 ～ 1993	新半導体配線材料：三菱化成株式会社
31.	1992 ～ 1992	LSI用銅配線要素技術の開発：川崎製鉄株式会社技術研究本部
32.	1992 ～ 1993	LSI用銅配線要素技術の開発：川崎製鉄株式会社千葉製鉄所
33.	1992 ～ 1994	オーミック・コンタクト材研究：住友金属鉱山株式会社
34.	1992	金属系配線材料の研究：株式会社神戸製鋼所(1992/1994)
35.	1992 ～ 1994	半導体デバイスの金属電極材料開発に関する研究：日新製鋼株式会社
36.	1991 ～ 1996	スパッタリング用InGaAsターゲット材料の開発：三井金属
37.	1991 ～ 1996	化合物半導体のオーミック電極材料に関する研究助成：ソニー株式会社
38.	1991 ～ 1991	半導体デバイスの金属電極材料開発に関する研究：日新製鋼株式会社
39.	1990 ～ 1994	薄膜の機械的性質に関する研究：新日本製鐵株式会社