研究者学術情報データベース

アベ　アツシ
阿部　惇
ABE Atsushi

所属 OIC総合研究機構

職名上席研究員

論文
1.	2017/03	遅れを生む組織構造の特徴と問題点 │ 研究開発リーダー │ 13 (12),10-15
2.	2016/03	将来有望な新事業の継続的創出のためのロードマッピング経営とシナリオプランニング経営の融合 │ 研究開発リーダー │ 12 (12),42-45
3.	2014/09	科学知識の爆発とプロセスイノベーション：青色発光ダイオード製品開発研究の定量分析 │ 研究　技術　計画 │ 29 (2/3),200-213
4.	2014/06	事業に緒びつく新規テーマ発掘のポイントと新規事業創出のための考え方（後篇) │ 研究開発リーダー │ 11 (3)
5.	2014/05	事業に結びつく新規テーマ発掘のポイントと新規事業創出のための考え方（前編） │ 研究開発リーダー │ 11 (2),51-58
6.	2014/02	新規事業におけるプロセスイノベーションの重要性一青色発光ダイオード開発の事例一 │ ビジネスクリエーター研究 │ 5 (5),43-55
7.	2010/11	ビジネスモデルの構成概念の検討 │ 日本経営システム学会誌 │ 27 (2),37-45
8.	2010/06	人材とともに外部技術を獲得し活用する商品開発プロセスの研究－ｉモードとiPodの事例より－ │ （日本MOT学会による査読論文(2010-4)”,技術と経済 │ (520),57-67
9.	2008/09	ビジネスモデルの比較研究～デルの新旧ビジネスモデルの比較～ │ 日本経営システム学会誌 │ 25 (1),17-24
10.	2008/05	連載講座　技術経営（ＭＯＴ）の核心　第２回　技術戦略論 │ 電気評論（5月号） │ 93 (5),60-65
11.	2008/04	連載講座　技術経営（ＭＯＴ）の核心　第１回　総論～技術経営概論とＭＯＴ講座連載のねらい │ 電気評論（4月号） │ 93 (4),51-56
12.	2008	製品開発における外部資源活用と知識蓄積 │ 日本経営システム学会誌（3月号） │ 24 (2),71-80
13.	2008	組織における無内部統制の役割～倫理に適った組織運営の実現～ │ 日本経営システム学会誌（3月号） │ 24 (2),43-50
14.	2008	理想を掲げた現実主義者たれ！～今だから話し、伝えたい新人・若手時代にすべき事、学ぶべきこと～ │ 研究開発リーダー（第24号、3月号） │ ,54-55
15.	2007	わが国の技術経営（ＭＯＴ）の現状と展望 │ 電気評論（8月号） │ ,7-12
16.	2007	フロントランナー型経済環境におけるロードマップの戦略的活用 │ 研究開発リーダー（第16号、7月号） │ 4 (4),14-23
17.	2006/08	今、なぜ企業においてMOTが重要になったのか │ テクノロジーマネジメント │ ,58-68
18.	2005/12	立命館大学が目指すMOT教育～立命館大学　大学院　テクノロジー・マネジメント研究科の新たな取り組み～ │ オペレーションズ･リサーチ │ 50 (12)
19.	2005/09	立命館大学　大学院　テクノロジー・マネジメント研究科 │ 経営情報学会誌 │ 14 (2)
20.	2005/05	理工系のためのテクノロジー・マネジメント教育 │ 工学教育 │ 54 (3)
21.	2005/01	明日を切り開く実践的MOT人材の育成を目指して │ 大学時報 │ ,300
22.	2004/10	BKCに来春開設　MOT大学院　テクノロジー・マネジメント研究 │ りつめい,(立命館大学校友会報) │ ,218
23.	2004/09	立命館大学大学院テクノロジー・マネジメント研究科の教育方針とその特色～知識教育と実践教育融合によるMOT人材の育成～ │ テクノロジーマネジメント │ ,64-71
24.	2004/07	MOT大学院開設にあたって │ ,14
25.	1992/04	センサ │ 電子材料 │ 31 (4),109-113
26.	1991/08	センサ技術の現状と今後 │ ,84-93
27.	1990/02	インテリジェントセンサとその応用技術 │ 自動化術 │ 22 (2),54-59
28.	1989/06	フィルムキャリアを用いた薄膜ELディスプレイ用高密度薄型実装 │ 35 (3),330-334
29.	1989/06	複合型温度センサ │ センサ技術 │ 9 (7),42-44
30.	1989/04	イオン工学について │ KEC情報（社団法人　関西電子工業振興センター発行） │ 132,2-13
31.	1989/03	センサ－システム化時代のキーパーツ－ │ 松風（松下電器産業（株）発行） │ (414),22-26
32.	1989/02	Patterning Characteristics of ITO Thin Films │ Japanese J.Appl.Phys. │ 28 (2),274-278
33.	1988/12	Chemical Reaction in Preparation of Sr(Zr_0.2Ti_0.8)O₃ Dielectric Thin Film by RF Magnetron Sputtering │ Journal of the CERAMIC Society of Japan,International Edition │ 96 (12),1139-1146
34.	1988/10	Concentration profiles of composing ions in radio frequency sputtered Sr(Zr0.2Ti0.8)O3 films │ J.Appl.Phys. │ 64 (7),3512-3515
35.	1988/08	Influence of Oxygen and Metal Oxide Impurities in ZnS:Mn Film on Characteristics of Electroluminescent Devices │ Japanese J.Appl.Phys. │ 27 (8),1426-1429
36.	1988/08	Interdiffusion Phenomena Caused by Postannealing of ZnS:Mn Films in Thin-Film Electroluminescent Device │ Japanese J.Appl.Phys. │ 27 (8),1430-1434
37.	1988/07	An XPS Study of Blackening of Indium-Tin Oxide Film during Deposition of Dielectric Films by RF Magnetron Sputtering │ Japanese J.Appl.Phys. │ 27 (7),L1199-L1200
38.	1988/07	Black Pr-Mn Oxide Dielectric Material for AC Thin-Film Electroluminescent Dispaly │ J.Electrochem.Soc. │ 135 (7),1836-1839
39.	1988/07	PbTiO3系焦電材料の薄膜化 │ センサ技術 │ 8 (8),53-57
40.	1988/06	Electric Resistance Change Mechanism of Indium-Tin Oxide Film During Deposition of Dielectric Oxide Films by RF Magnetron Sputtering │ Japanese J.Appl. Phys. │ 27 (6),1088-1091
41.	1988/06	Sr(Zr_0.2Ti_0.8)O₃誘電体薄膜の高周波スパタリング合成 │ 日本セラミックス協会学術論文誌 │ 96 (12),1167-1174
42.	1988/06	エレクトロルミネッセンス（EL）-薄膜- │ エレクトロニクス実装技術 │ 4 (6),83-88
43.	1988/04	A Study of the Crystallographic and Luminescent Characteristics of ZnS:Mn Films Prepared by an RF Magnetron Sputtering Method for AC Thin-Film Electroluminescent Devices │ Japanese J.Appl.Phys. │ 27 (4),592-596
44.	1988	A Highly Stable TFEL Display Panel with CaS Buffer Layer │ Proceedings of the Society for Information Display │ 29 (4),301-304
45.	1988	Feasibility of a 40×40cm² TFEL Display with 2000×2000 Lines Operating at 50W │ Proceedings of the Society for Information Display │ 29 (4),295-299
46.	1987/04	Electrical properties of Al₂O₃-Ta₂O₅ composite dielectric thin films prepared by RF reactive sputtering │ J.Electrochem.Soc. │ 134 (4),922-925
47.	1987/02	高コントラストELディスプレイパネル │ National Tech. Rept. │ 33 (1),118-123
48.	1987/02	酸化スズ │ センサ技術 │ 7 (2),49-52
49.	1987/02	超微粒子のデバイス化技術 │ 日本材料科学会誌 │ 23 (4),198-204
50.	1987/02	超微粒子を使ったガス・湿度センサ │ 固体物理 │ 22 (2),127-132
51.	1987/02	低消費電力ELディスプレイ │ National Tech. Rept. │ 33 (1),.124-131
52.	1986/09	An AC Thin-Film EL Display with Pr-Mn Oxide Black Dielectric Material │ IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES │ ED-33 (9),1290-1293
53.	1986/07	センサエレクトロニクス │ 電子通信学会 │
54.	1986/01	New efficient phosphor material ZnS:Sm,P for red electroluminescent devices │ Appl.Phys.Lett. │ 48 (2),95-96
55.	1985/07	超微粒子センサ │ エレクトロニク・セラミクス │ 16 (76),22-27
56.	1985/02	LOW-VOLTAGE, HIGH-RESOLUTION, HIGH-CONTRAST, 1088×256 MATRIX AC THIN-FILM EL DISPLAY │ Denshi Tokyo │ (24),95-97
57.	1985	ELECTRICAL PROPERTIES OF PEROVSKITE TYPE OXIDE THIN-FILMS PREPARED BY RF SPUTTERING │ PROCEEDINGS OF THE SIXTH INTERNATIONAL MEETING ON FERROELECTRICITY,KOBE │ ,413-415
58.	1984/05	スマートセンサ実現の第一歩 │ 日本の科学と技術［財団法人　日本科学技術振興財団科学技館］ │ 25 (227),.64-69
59.	1984/02	大型高精細度薄膜ELフラット・パネル・ディスプレイ │ National Tech.Rept. │ 30 (1),186-192
60.	1984	LARGE-SCALE ac THIN-FILM ELECTROLUMINESCENT DISPLAY PANEL │ Proceedings of the Society for Information Display │ 25 (3),177-182
61.	1983/12	超微粒子にかける夢：その現状と可能性を探る　下 │ 日工マテリアル │ 1 (7),29-41
62.	1983/11	超微粒子にかける夢：その現状と可能性を探る　上 │ 日工マテリアル │ 1 (6),31-43
63.	1983/09	機能性セラミックスとしての超微粉体 │ 科学と工業 │ 57 (9),336-341
64.	1982/10	超微粒子センサ │ Future Oriented Processing ［工業製品技術協会］ │ (54),45-53
65.	1982/06	Hall measurement studies and an electrical conduction model of tin oxide ultrafine particle films │ J.Appl.Phys. │ 53 (6),4448-4455
66.	1982/04	センサデバイス │ 電子材料, │ 21 (4),73-77
67.	1981/09	Electrical properties of tin oxide ultrafine particle films │ J.Electrochem.Soc. │ 128 (9),2020-2025
68.	1981/08	ガスセンサと開発動向 │ センサ技術 │ 1 (1),41-44
69.	1981/03	Preparation of tin oxide films from ultrafine particles │ J.Electrochem.Soc. │ 128 (3),685-689
70.	1980/09	集積化超微粒子ガス・センサ │ エレクトロニクス │ 25 (9),993-998
71.	1980/09	集積化超微粒子ガスセンサ │ 電子材料 │ 19 (9),79-85
72.	1980/06	集積化超微粒子ガスセンサ │ 26 (3),457-465
73.	1976/12	材料技術としての微粒子化技術 │ 22 (6),853-868
74.	1975/08	DID技術によるカスコード形J-FET │ 電子材料 │ ,45-50
75.	1975/05	DIRECT OBSERVATION OF THE DEPLETION LAYER IN A MULTICHANNEL VERTICAL J.F.E.T.(M.J.F.E.T.) │ ELECTRONICS LETTERS │ 11 (10),223-225
76.	1969/03	接合形トランジスタの等価回路 │ 東北大学学位論文 │ 工博第175 号
77.	1967/12	Traveling-Wave Field-Effect Transistors │ The Journal of the Institute of Electrical Communication Engineers of Japan │ 50 (12),1-2
78.	1967/12	進行波形電界効果トランジスタ │ 電子通信学会誌 │ 50 (12),2259-2266
79.	1967/01	Frequency Variations of π-Equivalent Circuit Parameters of a Junction Transistor │ The Journal of the Institute of Electrical Communication Engineers of Japan │ 50 (1),1-2
80.	1967/01	FREQUENCY VARIATIONS OF PI-EQUIVALENT CIRCUIT PARAMETERS OF A JUNCTION TARANSISTOR │ Electronics and Communication in Japan │ 50 (1),1-9
81.	1967/01	トランジスタのπ形等価回路定数の周波数依存性 │ 電気通信学会誌 │ 50 (1),15-22
82.	1966/09	トランジスタのπ型等価回路定数の周波数依存性 │ 半導体研究所報告 │ 4 (3),88-89
83.	1966/09	進行波型電界効果トランジスタ │ 半導体研究所報告 │ 4 (3),88
84.	1966/06	TRAVELING-WAVE FIELD-EFFECT TRANSISTORS │ R.I.E.C. (Tech.Rep.) │ TR-13
85.	1966/01	FREQUENCY VARIATIONS OF π-EQUIVALENT CIRCUIT PARAMETERS OF A JUNCTION TRANSISTOR │ R.I.E.C. (Tech.Rep.) │ TR-9
86.	1966	Frequency Variations of π-equivalent Circuit Parameters of a Junction Transistor │ Int.J.Electronics │ 20 (4),329-350
87.	1966	Traveling-wave Field-effect Transistors │ Int.J.Electronics │ 21 (2),153-171
88.	1965/07	電界効果トランジスタの特性 │ 半導体研究所報告 │ 3 (2),56-61