研究者学術情報データベース

（最終更新日 : 2024-11-26 23:32:47）　

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フジワラ　ヤスフミ
藤原　康文
FUJIWARA YASUFUMI

所属総合科学技術研究機構

職名教授

学歴
1.	1986/09/11 (学位取得)	大阪大学応用物性工学博士
2.	1983/04/01～1985/07/31	大阪大学基礎工学研究科物理系専攻電気工学分野博士後期課程博士後期課程中退
3.	1981/04/01～1983/03/25	大阪大学基礎工学研究科物理系専攻電気工学分野博士前期課程修了
4.	1977/04/01～1981/03/25	大阪大学基礎工学部電気工学科卒業

職歴
1.	2024/04/01 ～	立命館大学総合科学技術研究機構特別招聘研究教員（教授）
2.	2022/04/01 ～ 2024/03/31	大阪大学エマージングサイエンスデザインR3センターセンター長
3.	2017/04/01 ～ 2022/03/31	大阪大学ナノサイエンスデザイン教育研究センターセンター長
4.	2015/09/10 ～ 2016/08/25	大阪大学本部副理事
5.	2003/07/01 ～ 2024/03/31	大阪大学大学院工学研究科教授
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委員会・協会等
1.	2020/03 ～ 2022/03	公益社団法人応用物理学会副会長
2.	2009	（社）日本金属学会セミナー・シンポジウム委員会委員
3.	2008	（社）日本材料学会学会将来構想WGメンバー
4.	2007	（社）日本金属学会分科会委員会委員
5.	2004	Japanese Journal of Applied Physics 編集委員

所属学会
1.		（一社）レーザー学会
2.		（公社）応用物理学会
3.		（公社）日本金属学会
4.		（公社）日本材料学会
5.		日本希土類学会

現在の専門分野
キーワード：電子・電気材料工学、応用物性・結晶工学

論文
1.	2024/02/01	An efficiently excited Eu3+ luminescent site formed in Eu,O-codoped GaN │ AIP Advances │ 14 (2)
2.	2023/10/03	Enhancement of Er luminescence from bridge-type photonic crystal nanocavities with Er, O-co-doped GaAs │ Optics Continuum │ 2 (10),2178-2178頁
3.	2023/10/01	Fabrication of polarity inverted LiNbO₃/GaN channel waveguide by surface activated bonding for high-efficiency transverse quasi-phase-matched wavelength conversion │ Japanese Journal of Applied Physics │ 62 (10),102001-102001頁
4.	2023/09/06	Formation and Optical Characteristics of GaN:Eu/GaN Nanowires for Applications in Light-Emitting Diodes │ ECS Journal of Solid State Science and Technology │ 12,096003/1-096003/10頁
5.	2023/08/28	Electrically driven europium-doped GaN microdisk │ Optics Letters │ 48 (17),4590-4590頁
全件表示（518件）

学会発表
1.	2020/09	Enhanced Eu luminescence in GaN: Eu,O-based light emitting diodes via introduction of nanostructures and nanocavities
2.	2020/09	Evaluations of Selective Dry Etching of GaAs Core Layer having Embedded InAs Quantum Dots Using Optical Measurements towards Photonic Crystal Laser Fabrication
3.	2006	Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体光デバイスの新しい潮流【招待講演】（口頭発表，特別・招待講演等）
4.	2006	Characterization of Epitaxial Si Films Grown at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition
5.	2006	Characterization of Epitaxial Silicon Films Grown by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition at Low Temperatures(450-600℃) （口頭発表，一般）
全件表示（8件）

その他研究活動
1.	2004	希土類元素添加半導体における電流励起光学利得とその最適化
2.	2004	希土類元素添加半導体の新展開：秩序制御による新しいスピン物性の発現
3.	2004	希土類元素添加半導体を基盤とした波長超安定新規発光デバイスの高性能化
4.	2004	希土類添加Ⅲ-Ⅴ族半導体を用いた波長超安定発光デバイスの開発
5.	2004	原子レベル制御による新規量子機能材料の創製

受賞学術賞
1.	2021/12	International Display Workshop 2021 (IDW'21) Best Paper Award (Eu-Doped GaN-Based Red LEDs as a Key Technology for Micro-LED Displays with Ultrahigh Resolution)
2.	2021/11	国立大学法人大阪大学大阪大学賞（教育貢献部門） (工学分野でのASEANキャンパスを活用した双方向ハイブリッド型教育プログラム推進)
3.	2021/01	電気化学会蛍光体同学会蛍光体賞 (次世代マイクロLEDディスプレイに資するEu添加GaN赤色発光ダイオードの高輝度化とRGB集積化)
4.	2020/04	文部科学省文部科学大臣表彰科学技術賞（研究部門） (半導体イントラセンターフォトニクスの開発)
5.	2019/03	日本学術振興会光電相互変換第125委員会業績賞
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科学研究費助成事業
1.	2023/04/12 ～ 2028/03/31	半導体イントラセンター・フォトニクスの新展開 │ 基盤研究(S)
2.	2023/04/01 ～ 2026/03/31	希土類添加半導体における発光中心の再構成による究極的な希土類発光機能の実現 │ 基盤研究(A)
3.	2018/04/23 ～ 2023/03/31	半導体イントラセンター・フォトニクスの開拓 │ 特別推進研究
4.	2017/06/30 ～ 2019/03/31	超狭帯域発光ダイオードによる細胞光エンジニアリング │ 基盤研究(C)
5.	2017/04/01 ～ 2019/03/31	半導体における希土類発光機能のフォトン場制御 │ 基盤研究(A)
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競争的資金等(科研費を除く)
1.	2024/04/25 ～ 2027/03/31	革新的マイクロLED ディスプレイ実現に向けた希土類添加GaN LED の事業化 │ 競争的資金等の外部資金による研究 │ 大学発新産業創出基金事業ディープテック・スタートアップ国際展開プログラム（D-Global）

共同・受託研究実績
1.		Atomic-Layer Controlled Heteroepitaxy of New Quantum-Functional Materials
2.		Characterization of Quantum-Functional Materials and Their Application to Electronic Devices
3.		原子層制御ヘテロエピタキシャル法による新しい量子機能材料の作製
4.		量子機能材料の光電物性評価とデバイス応用
5.	2008 ～ 2008	希土類添加半導体の秩序制御と高次発光機能の発現

取得特許
1.		AlInN膜および２次元フォトニック結晶共振器とこれらの製造方法ならびに半導体発光素子（特許6788301）
2.		新規な結晶材料
3.		赤色発光半導体素子および赤色発光半導体素子の製造方法（特許5388041）
4.		赤色発光半導体素子とその製造方法（特許5896454）
5.		赤色発光半導体素子とその製造方法（特許6222684）
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