研究者学術情報データベース

（最終更新日 : 2023-11-08 14:49:27）　

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ムラカミ　マサノリ
村上　正紀
MURAKAMI Masanori

所属立命館グローバル・イノベーション研究機構

職名特別研究フェロー

学歴
1.	1971/07 (学位取得)	京都大学工学博士
2.	～1966	京都大学工学部冶金学科卒業
3.	～1968	京都大学工学研究科冶金学専攻修士課程修了
4.	～1971	京都大学工学研究科冶金学専攻博士課程修了

職歴
1.	2018 ～ 2022	立命館大学学長特別補佐/理事補佐/ 立命館大学ｸﾞﾛｰﾊﾞﾙｲﾉｰﾍﾞｼｮﾝ研究機構（R-GIRO）教授
2.	2015 ～ 2018	立命館大学特別招聘研究教授 / 理事補佐
3.	2007 ～ 2014	学校法人立命館副総長
4.	2007 ～ 2014	京都大学名誉教授
5.	1990 ～ 2007	京都大学大学院工学研究科　材料工学専攻教授
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委員会・協会等
1.	2004 ～ 2005	公益法人日本金属学会会長
2.	2010 ～ 2014	公益法人　本多記念会理事長
3.	2019 ～ 2023	公益法人稲盛財団京都賞員会委員
4.	2013 ～ 2022	文部科学省「元素戦略」プロジェクトオフィサー
5.	2009 ～ 2011	総合技術会議専門調査会座長補佐
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研究テーマ
1.	化合物半導体デバイス用の電極材料の開発
2.	多重層薄膜材料の接触界面の反応機構の解明
3.	薄膜材料の強化機構の解明
4.	超伝導ジョセフソン素子の電極材料の開発
5.	Ｓｉ半導体デバイス用の配線材料の開発

研究概要
電子デバイス用の金属薄膜材料の基礎研究と開発 20世紀の社会の高度化はSi半導体デバイスによって支えられてきた事には異論はない。Si半導体デバイスの高性能化は主に、設計、加工技術の発展により達成されてきたが、「21世紀の電子デバイスの性能は、サイズより、寧ろデバイスを構成する材料の特性により決定される」との信念の基に、1970年代から、多岐の電子材料の研究・開発に従事し、超伝導、化合物半導体、シリコン半導体デバイスなどに用いられる数々の高機能電子材料を開発し、これらのデバイスの高性能化に貢献してきた。このような基礎から開発までの幅広い電子材料の草分け的な研究は国際的に高い評価を受けている。代表的な研究成果を研究歴順に列記すると、(1) 薄膜材料の強化機構解明による（超伝導体デバイス用の）高信頼ジョセフソン素子材料の開発、(2) 金属薄膜材料/半導体界面での電気輸送機構解明による（化合物半導体デバイス用の）低接触抵抗コンタクト材料の開発、(3) 薄膜材料の結晶粒成長機構解明による（Si半導体デバイス用の）高伝導Cu配線材料の開発である。

現在の専門分野
ナノ材料工学, 薄膜・表面界面物性, 電子・電気材料工学, 金属物性・材料, 無機材料・物性, 複合材料・表界面工学 (キーワード：金属薄膜材料特性、界面工学、化合物半導体デバイス用の電極材料開発、配線材料開発)

著書
1.	1990	Development of Ohmic Contact Materials for GaAs Integrated Circuits │Materials Science Reports 5 │ ,273-317頁
2.	1984	Strain Relaxation Mechanisms of Thin Deposit Fi1ms │CRC Critical Reviews in Solid State and Material Sciences │ 11,317-354頁
3.	1988	X-ray Diffraction Analysis of Interdiffusion in Thin Films │Treatise on Materials Science and Technology │ ,vol.27, 201-248
4.	1993	Ohmic Contacts to GaAs and Other III-V Compounds : Correlation of Microstructure with Electrical Properties │ Contacts to Semiconductors │ ,1-66頁
5.	1988	Thermal Stability of Pb Alloy Films Used in Josephson Junction Electrode│ Diffusion Phenomena in Thin Films and Microelectronic Materials │ ,499-543頁
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論文
1.	2012	“Oxygen-Induced Barrier Failure in Ti-Based Self-Formed and Ta/TaN Barrier for Cu Interconnects” │ Japanese Journal of Applied Physics │ (51),04DB06-1-B06-5
2.	2012	” Role of Cu Film Texture in Grain Growth Correlated with Twin Boundary Formation” │ Acta Materialia │ (60),588-595
3.	2011	Structure Analyses of Ti-Based Self-Formed Barrier Layers │ Japanese Journal of Applied Physics 50 │ ,04DB03-1-B03-5
4.	2011	“Globalization of Japanese manufacturing: Back to Sprits of Oumi Merchants” │ Chemistry & Chemical Industry, │ (64-1),62
5.	2011	” Growth of Ti-Based Interface Layer in Cu(Ti)/Glass Samples” │ Materials Transactions │ (52),491-497
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講師・講演
1.	1993/05/19	“Stress in Thin Films Deposited on Rigid Substrates” (California USA)
2.	1994/04/06	“Ohmic Contact Metallization for n-type GaAs” (Boston USA)
3.	1999/10/19	“Simultaneous preparation of n and p-type Ohmic contacts for GaAs junction FET” (Hawaii, USA)
4.	2004/11/04	"Development of Electrode Materials for Semiconductor Devices" (Beijing, China)
5.	2007/02/28	“Reduction of Electrical Resistivity of Cu Interconnects” (Florida, USA)
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受賞学術賞
1.	2017/04	日本金属学会名誉員
2.	2016/06	（公益財団法人）本多記念賞
3.	2011/03	日本金属学会賞
4.	2009/04	政府紫綬褒章
5.	2006/09	功労賞（日本金属学会）
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科学研究費助成事業
1.	2006 ～ 2007	薄膜合金材料の表皮効果を用いた新複合材料の開発　：基盤(B) │ 基盤研究(B)
2.	2003 ～ 2005	STP解析法を用いたワイドギャップ化合物半導体用のオーム性電極材料の開発：基盤(A) │ 基盤研究(A)
3.	2001 ～ 2002	生体医療用の高感度半導体放射線検出器の電極材料の開発：基盤(B) │ 基盤研究(B)
4.	1998 ～ 2000	ガリウムヒ素の化合物半導体用の新機能電極材料の開発：基盤(A) │ 基盤研究(A)
5.	1996 ～ 1997	フルカラー発光素子の高機能電極材料の発掘：基盤(B) │ 基盤研究(B)
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競争的資金等(科研費を除く)
1.	2006 ～ 2007	「自然順応ナノ材料の創成」　高性能LED用の代替透明電極材料の開発 │ 競争的資金等の外部資金による研究 │ 財団法人京都高度技術研究所
2.	2005 ～ 2006	「薄膜・微粒子技術の産業化」　高性能LED創成に向けた要素技術の開発 │ 競争的資金等の外部資金による研究 │ 財団法人京都高度技術研究所
3.	2003 ～ 2004	省エネ型高精度マイクロ流量センサーの開発 │ 競争的資金等の外部資金による研究 │ 近畿経済産業局
4.	2001 ～ 2005	次世代Siデバイス用超微細Ｃｕ配線材料に関する主影響解明ならびに材料学的本質的解決手法の確立にかかわる研究 │ 競争的資金等の外部資金による研究 │ 財団法人金属系材料研究開発センター
5.	2000 ～ 2000	結晶-電極の界面組成分析 │ 競争的資金等の外部資金による研究 │ 財団法人南西地域産業活性化センター
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共同・受託研究実績
1.	2005 ～ 2006	ＳｉＣ半導体用の電極材料の開発：本田技術総合研究所
2.	2004 ～ 2005	高信頼性銅配線技術の研究：松下電子工業株式会社
3.	2002 ～ 2003	配線材料の開発：東京エレクトロン株式会社
4.	2001 ～ 2004	透明電極膜の開発：財団法人京都高度技術研究所
5.	1999 ～ 2005	GaN系のコンタクト材の基礎研究：日立電線株式会社
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取得特許
1.		Electrode for p-type Group III nitride compound semiconductor layer and method for producing the same （7,190,076）
2.		Electrode for p-type SiC （6,943,376）
3.		GaN related compound semiconductor and process for producing the same （6,573,117）
4.		GaN related compound semiconductor light-emitting device （6,291,840）
5.		Group III nitride compound semiconductor device and method for forming an electrode （7,018,915）
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